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2N6387G

2N6387G onsemi

2N6387_D-2309460.pdf Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V Bipolar Power NPN
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Technische Details 2N6387G onsemi

Description: TRANS NPN DARL 60V 10A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V, Supplier Device Package: TO-220, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W.

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2N6387G 2N6387G Hersteller : onsemi 2n6387-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
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2N6387G Hersteller : ONSEMI 2n6387-d.pdf 2N6387G NPN THT Darlington transistors
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