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2N6660

2N6660 Microchip Technology

87420005509a.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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Technische Details 2N6660 Microchip Technology

Description: MICROCHIP - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 3 ohm, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 410mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.25W, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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2N6660 2N6660 Hersteller : Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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2N6660 2N6660 Hersteller : Microchip Technology 20005509A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 410MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
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2N6660 2N6660 Hersteller : Microchip Technology 20005509A-1512606.pdf MOSFET 60V 3Ohm
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2N6660 2N6660 Hersteller : MICROCHIP MCHP-S-A0001708786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 3 ohm, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.25W
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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2N6660 2N6660 Hersteller : SOLID STATE 2643300.pdf Description: SOLID STATE - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.25W
Bauform - Transistor: TO-205AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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2N6660 2N6660 Hersteller : Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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2N6660 2N6660 Hersteller : Semelab / TT Electronics TTRB_S_A0008035238_1-2565324.pdf MOSFET N-CHANNEL TO39
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2N6660 2N6660 Hersteller : Vishay Siliconix 2N6660(2),2N6660JANTX(V).pdf Description: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N6660 2N6660 Hersteller : Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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2N6660 2N6660 Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 2N6660.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; TO39
Mounting: THT
Case: TO39
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 3Ω
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.5A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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2N6660 2N6660 Hersteller : Semelab 5735247283953662n6660.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1A 3-Pin TO-39
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2N6660 Hersteller : Vishay 1297926070510002n6660ja.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD
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2N6660 2N6660 Hersteller : Microchip Technology 87420005509a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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2N6660 2N6660 Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 2N6660.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; TO39
Mounting: THT
Case: TO39
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 3Ω
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.5A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
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