2N6661

2N6661 Microchip Technology


72720005516a.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 255 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+23.89 EUR
25+ 22.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2N6661 Microchip Technology

Description: SOLID STATE - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, MOSPOWER, n-Kanal, 90 V, 900 mA, 3 ohm, TO-205AF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 90V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.25W, Bauform - Transistor: TO-205AF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote 2N6661 nach Preis ab 20.21 EUR bis 47.84 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
2N6661 2N6661 Hersteller : Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+23.89 EUR
25+ 22.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N6661 2N6661 Hersteller : Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+24.94 EUR
25+ 21.97 EUR
100+ 20.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N6661 2N6661 Hersteller : Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+24.94 EUR
25+ 21.97 EUR
100+ 20.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N6661 2N6661 Hersteller : Microchip Technology 20005516A.pdf Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+38.17 EUR
25+ 34.98 EUR
100+ 33.7 EUR
2N6661 2N6661 Hersteller : Microchip Technology 2N6661-1180204.pdf MOSFET 90V 4Ohm
auf Bestellung 1937 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+38.45 EUR
25+ 35.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2N6661 2N6661 Hersteller : Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
34+47.84 EUR
Mindestbestellmenge: 34
2N6661 2N6661 Hersteller : SOLID STATE 2643301.pdf Description: SOLID STATE - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, MOSPOWER, n-Kanal, 90 V, 900 mA, 3 ohm, TO-205AF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.25W
Bauform - Transistor: TO-205AF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N6661 2N6661 Hersteller : Microchip Technology 72720005516a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N6661 2N6661 Hersteller : Semelab 2n6661.pdf Trans MOSFET N-CH 90V 0.9A 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
2N6661 2N6661 Hersteller : Vishay 1265374748351242n6661ja.pdf Trans MOSFET N-CH 90V 0.86A 3-Pin TO-205AD
Produkt ist nicht verfügbar
2N6661 2N6661 Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 2N6661.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 1.5A; TO39
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 90V
Pulsed drain current: 1.5A
Case: TO39
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2N6661 2N6661 Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 2N6661.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 1.5A; TO39
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 90V
Pulsed drain current: 1.5A
Case: TO39
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar