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Technische Details 2N7002BKV,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 525mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2N7002BKV,115 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
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2N7002BKV,115 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
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2N7002BKV,115 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
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2N7002BKV,115 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
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2N7002BKV,115 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
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2N7002BKV,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 |
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2N7002BKV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.525W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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2N7002BKV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.525W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 3565 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002BKV,115 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
auf Bestellung 7958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002BKV,115 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
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2N7002BKV,115 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R |
auf Bestellung 7958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002BKV,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 |
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2N7002BKV,115 | Hersteller : Nexperia | MOSFET NRND for Automotive Applications 2N7002BKV/SOT666/SOT6 |
auf Bestellung 102823 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N7002BKV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 525mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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2N7002BKV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 525mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 21545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002BKV,115 | Hersteller : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R |
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