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Technische Details 2N7002E-T1-E3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V.
Weitere Produktangebote 2N7002E-T1-E3 nach Preis ab 0.56 EUR bis 1.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2N7002E-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V |
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2N7002E-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002E-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - 2N7002E-T1-E3 - N CHANNEL MOSFET, 60V, 240mA TO-236 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 0 Produktpalette: 0 productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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2N7002E-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
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| 2N7002E-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
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| 2N7002E-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
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| 2N7002E-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
2006 |
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| 2N7002E-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
SOT23 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N7002E-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002E-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V |
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