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2N7002HR

2N7002HR Nexperia

2n7002h.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details 2N7002HR Nexperia

Description: NEXPERIA - 2N7002HR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 340mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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2N7002HR 2N7002HR Hersteller : Nexperia USA Inc. 2N7002H.pdf Description: 2N7002H/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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2N7002HR 2N7002HR Hersteller : Nexperia 2n7002h.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002HR 2N7002HR Hersteller : Nexperia USA Inc. 2N7002H.pdf Description: 2N7002H/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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2N7002HR 2N7002HR Hersteller : Nexperia 2N7002H-2909812.pdf MOSFET 2N7002H/SOT23/TO-236AB
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24000+ 0.073 EUR
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2N7002HR 2N7002HR Hersteller : NEXPERIA 3669736.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002HR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
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Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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2N7002HR 2N7002HR Hersteller : NEXPERIA 3669736.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002HR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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2N7002HR Hersteller : NEXPERIA 2n7002h.pdf 2N7002H/SOT23/TO-236AB
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