2N7002KQ-7

2N7002KQ-7 DIODES INCORPORATED


2N7002K.pdf Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
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Technische Details 2N7002KQ-7 DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - 2N7002KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.

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2N7002KQ-7 2N7002KQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
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2N7002KQ-7 2N7002KQ-7 Hersteller : Diodes Zetex ds30896.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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2N7002KQ-7 2N7002KQ-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009691901-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - 2N7002KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
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2N7002KQ-7 2N7002KQ-7 Hersteller : Diodes Zetex ds30896.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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2N7002KQ-7 2N7002KQ-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009691901-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - 2N7002KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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2N7002KQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012994417_1-2544017.pdf MOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
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2N7002KQ-7 2N7002KQ-7 Hersteller : Diodes Inc ds30896.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002KQ-7 2N7002KQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated 2N7002KQ.pdf Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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