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Technische Details 2N7002NXAKR Nexperia
Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 265mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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2N7002NXAKR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V |
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2N7002NXAKR | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.12A Pulsed drain current: 0.76A Power dissipation: 0.265W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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2N7002NXAKR | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.12A Pulsed drain current: 0.76A Power dissipation: 0.265W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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2N7002NXAKR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002NXAKR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 20941 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002NXAKR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 47031 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002NXAKR | Hersteller : Nexperia |
MOSFET 2N7002NXAK/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 1800212 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N7002NXAKR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V |
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2N7002NXAKR | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 47031 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002NXAKR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002NXAKR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 265mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002NXAKR | Hersteller : Nexperia Inc. |
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002NXAKR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002NXAKR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N7002NXAKR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
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