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2N7002W-7-F

2N7002W-7-F Diodes Zetex

ds30099.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details 2N7002W-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - 2N7002W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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2N7002W-7-F 2N7002W-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED 2N7002W.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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2N7002W-7-F 2N7002W-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED 2N7002W.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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2N7002W-7-F 2N7002W-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30099.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R
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2N7002W-7-F 2N7002W-7-F Hersteller : Diodes Incorporated 2N7002W.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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150000+ 0.093 EUR
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2N7002W-7-F 2N7002W-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30099.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R
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684+ 0.22 EUR
694+ 0.21 EUR
1389+ 0.1 EUR
1405+ 0.096 EUR
1421+ 0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 305
2N7002W-7-F 2N7002W-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009689720_1-2543213.pdf MOSFET 60V 200mW
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141+ 0.37 EUR
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1000+ 0.14 EUR
3000+ 0.12 EUR
9000+ 0.11 EUR
24000+ 0.1 EUR
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2N7002W-7-F 2N7002W-7-F Hersteller : Diodes Incorporated 2N7002W.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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41+ 0.64 EUR
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2N7002W-7-F 2N7002W-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013289884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
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2N7002W-7-F 2N7002W-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013289884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
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2N7002W-7-F 2N7002W-7-F Hersteller : Diodes Inc ds30099.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R
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2N7002W-7-F 2N7002W-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013289884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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2N7002W-7-F
Produktcode: 170977 		2N7002W.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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