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2PB709BSL,215

2PB709BSL,215 NXP Semiconductors


NEXP-S-A0002910026-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA 2PB709 - SMALL SIGNAL B
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
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Technische Details 2PB709BSL,215 NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA - 2PB709BSL,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 200 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2PB709BSL,215 2PB709BSL,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. 2PB709BRL_2PB709BSL.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
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2PB709BSL,215 2PB709BSL,215 Hersteller : Nexperia 2PB709BRL_2PB709BSL-1544592.pdf Bipolar Transistors - BJT 2PB709BSL/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 2990 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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117+ 0.45 EUR
282+ 0.18 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.1 EUR
9000+ 0.083 EUR
45000+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 80
2PB709BSL,215 2PB709BSL,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. 2PB709BRL_2PB709BSL.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
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39+0.68 EUR
58+ 0.46 EUR
117+ 0.22 EUR
500+ 0.19 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39
2PB709BSL,215 2PB709BSL,215 Hersteller : NEXPERIA 2PB709BRL_2PB709BSL.pdf NEXP-S-A0002910026-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - 2PB709BSL,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 200 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2PB709BSL,215 2PB709BSL,215 Hersteller : NEXPERIA 2PB709BRL_2PB709BSL.pdf NEXP-S-A0002910026-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - 2PB709BSL,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 200 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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2PB709BSL,215 2PB709BSL,215 Hersteller : Nexperia 2pb709brl_2pb709bsl.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.2A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2PB709BSL,215 2PB709BSL,215 Hersteller : NEXPERIA 2pb709brl_2pb709bsl.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.2A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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