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2SA1417S-TD-E

2SA1417S-TD-E ONSEMI

EN2006-D.html Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
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Technische Details 2SA1417S-TD-E ONSEMI

Description: TRANS PNP 100V 2A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PCP, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 500 mW.

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2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E Hersteller : ONSEMI EN2006-D.html Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
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2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E Hersteller : onsemi EN2006-D.html Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
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22+ 1.21 EUR
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2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E Hersteller : onsemi 2SA1417_D-3150112.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
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2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1417-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1417-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 3940en2006-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E Hersteller : onsemi EN2006-D.html Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
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Power - Max: 500 mW
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