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2SB1205T-E

2SB1205T-E ON Semiconductor


123en2114-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
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Technische Details 2SB1205T-E ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 20V 5A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 320MHz, Supplier Device Package: TP, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 1 W.

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2SB1205T-E 2SB1205T-E Hersteller : ON Semiconductor 123en2114-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
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2SB1205T-E 2SB1205T-E Hersteller : onsemi en2114-d.pdf Description: TRANS PNP 20V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
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2SB1205T-E 2SB1205T-E Hersteller : ON Semiconductor 123en2114-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
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2SB1205T-E 2SB1205T-E Hersteller : ON Semiconductor EN2114-D-310458.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V
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2SB1205T-E 2SB1205T-E Hersteller : ON Semiconductor 123en2114-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
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2SB1205T-E 2SB1205T-E Hersteller : onsemi en2114-d.pdf Description: TRANS PNP 20V 5A TP
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Transistor Type: PNP
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