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2SB1386T100R

2SB1386T100R Rohm Semiconductor

2SB1386%2C1412%2C1326.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 20V 5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details 2SB1386T100R Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 20V 5A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 2 W.

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2SB1386T100R 2SB1386T100R Hersteller : ROHM ROHMS09672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SB1386T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 4 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SB1386T100R 2SB1386T100R Hersteller : ROHM ROHMS09672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SB1386T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 4 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SB1386T100R Hersteller : ROHM Semiconductor rohm_semiconductor_rohms09672-1-1742596.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 20V 5A
auf Bestellung 780 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
37+1.43 EUR
43+ 1.24 EUR
100+ 0.86 EUR
500+ 0.72 EUR
1000+ 0.61 EUR
2000+ 0.54 EUR
5000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 37
2SB1386 T100R Hersteller : ROHM 09+
auf Bestellung 34018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SB1386 T100R Hersteller : ROHM SOT89
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SB1386-T100R Hersteller : ROHM SOT89
auf Bestellung 8710 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SB1386T100R 2SB1386T100R Hersteller : Rohm Semiconductor 2SB1386%2C1412%2C1326.pdf Description: TRANS PNP 20V 5A MPT3
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Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
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