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2SD1223(TE16L1,NQ)

2SD1223(TE16L1,NQ) Toshiba


15372sd1223_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Hersteller: Toshiba
Trans Darlington NPN 80V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
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Technische Details 2SD1223(TE16L1,NQ) Toshiba

Description: TRANS NPN DARL 80V 4A PW-MOLD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 2V, Supplier Device Package: PW-MOLD, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1 W.

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2SD1223(TE16L1,NQ) 2SD1223(TE16L1,NQ) Hersteller : Toshiba 2SD1223_datasheet_en_20131101-1916053.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
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2SD1223(TE16L1,NQ) 2SD1223(TE16L1,NQ) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1223.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 4A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
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Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
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