2SJ168(TE85L,F) TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC59
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.2A
On-state resistance: 2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.2W
auf Bestellung 2056 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 76+ | 0.94 EUR |
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| 127+ | 0.56 EUR |
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| 500+ | 0.52 EUR |
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Technische Details 2SJ168(TE85L,F) TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Case: SC59, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -0.2A, On-state resistance: 2Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 0.2W, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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2SJ168(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SC59 Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.2A On-state resistance: 2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.2W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2SJ168(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R |
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