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Technische Details 2SK1062(TE85L,F) Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 200mW; SC59, Mounting: SMD, Case: SC59, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 0.2A, On-state resistance: 1Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 0.2W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote 2SK1062(TE85L,F)
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2SK1062(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SK1062(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 200mW; SC59 Mounting: SMD Case: SC59 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2SK1062(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 200mW; SC59 Mounting: SMD Case: SC59 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
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