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2STR2160

2STR2160 STMicroelectronics

en.CD00201972.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 60V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
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Technische Details 2STR2160 STMicroelectronics

Description: TRANS PNP 60V 1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW.

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2STR2160 Hersteller : STM en.CD00201972.pdf Транз. Бипол. ММ PNP SOT23 Uceo=60V; Ic=1A; Pdmax=0,5W
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Produktcode: 114991 		en.CD00201972.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
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