Produkte > RENESAS > 2SC2735J-TL-E
2SC2735J-TL-E

2SC2735J-TL-E Renesas


rej03g0706_2sc2735ds.pdf Hersteller: Renesas
Silicon NPN Epitaxial RF Transistor
auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3308+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3308
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SC2735J-TL-E Renesas

Description: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ 3-MPAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 21dB, Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V, Frequency - Transition: 1.2GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz, Supplier Device Package: 3-MPAK, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote 2SC2735J-TL-E nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.18 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2SC2735JTL-E 2SC2735JTL-E Hersteller : Renesas Electronics Corporation RNCCS01585-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ 3-MPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 1.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: 3-MPAK
Part Status: Active
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2704+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2704
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2735JTL-E Hersteller : RENESAS RNCCS01585-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SOT23
auf Bestellung 5233 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH