2SC3326-B,LF(T Toshiba
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Technische Details 2SC3326-B,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 300mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote 2SC3326-B,LF(T nach Preis ab 0.09 EUR bis 0.19 EUR
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2SC3326-B,LF(T | Hersteller : Toshiba |
 Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R |
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2SC3326-B,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Current gain: 200...1200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 30MHz Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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2SC3326-B,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Current gain: 200...1200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 30MHz |
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2SC3326-B,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 300mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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2SC3326-B,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R |
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2SC3326-B,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 300mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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