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Technische Details 2SC5773JR(TL-E) Renesas
Description: RF TRANS NPN 6V 10.8GHZ 3-MPAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 11.9dB, Power - Max: 700mW, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 5V, Frequency - Transition: 10.8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 900MHz, Supplier Device Package: 3-MPAK.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2SC5773JR-TL-E | Hersteller : Renesas Electronics Corporation |
 Description: RF TRANS NPN 6V 10.8GHZ 3-MPAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 11.9dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 10.8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 900MHz Supplier Device Package: 3-MPAK |
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