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Technische Details 2SJ168(TE85L,F) Toshiba
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -0.2A, On-state resistance: 2Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 0.2W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Case: SC59, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote 2SJ168(TE85L,F) nach Preis ab 0.52 EUR bis 0.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2SJ168(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59 Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.2A On-state resistance: 2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SC59 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2SJ168(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59 Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.2A On-state resistance: 2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SC59 |
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2SJ168(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R |
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