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Technische Details 2SK1062(TE85L,F) Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 200mW; SC59, Mounting: SMD, On-state resistance: 1Ω, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 60V, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Kind of package: reel; tape, Case: SC59, Polarisation: unipolar, Drain current: 0.2A, Power dissipation: 0.2W, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote 2SK1062(TE85L,F)
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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2SK1062(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SK1062(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 200mW; SC59 Mounting: SMD On-state resistance: 1Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Case: SC59 Polarisation: unipolar Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2SK1062(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 200mW; SC59 Mounting: SMD On-state resistance: 1Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Case: SC59 Polarisation: unipolar Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.2W |
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