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Technische Details 2SK1062(TE85L,F) Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 200mW; SC59, Drain current: 0.2A, Power dissipation: 0.2W, On-state resistance: 1Ω, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 60V, Case: SC59, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar.
Weitere Produktangebote 2SK1062(TE85L,F)
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2SK1062(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SK1062(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 200mW; SC59 Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.2W On-state resistance: 1Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Case: SC59 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar |
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