2SK3475(TE12L,F) TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.9dB
Output power: 630mW
Power dissipation: 3W
Efficiency: 45%
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 25+ | 2.86 EUR |
| 100+ | 1.87 EUR |
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Technische Details 2SK3475(TE12L,F) TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW, Case: SOT89, Kind of package: reel; tape, Frequency: 520MHz, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 1A, Type of transistor: N-MOSFET, Open-loop gain: 14.9dB, Output power: 630mW, Power dissipation: 3W, Efficiency: 45%, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: SMT, Kind of transistor: RF, Kind of channel: depletion, Gate-source voltage: ±10V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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2SK3475(TE12L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW Case: SOT89 Kind of package: reel; tape Frequency: 520MHz Drain-source voltage: 20V Drain current: 1A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 14.9dB Output power: 630mW Power dissipation: 3W Efficiency: 45% Polarisation: unipolar Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±10V |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK3475(TE12L.F) | Hersteller : Toshiba |
Trans RF MOSFET N-CH 20V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SK3475(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans RF MOSFET N-CH 20V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |