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2SK3475(TE12L,F)

2SK3475(TE12L,F) TOSHIBA

2SK3475.pdf Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.9dB
Output power: 630mW
Power dissipation: 3W
Efficiency: 45%
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
34+2.14 EUR
35+2.07 EUR
37+1.97 EUR
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Technische Details 2SK3475(TE12L,F) TOSHIBA

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW, Case: SOT89, Kind of package: reel; tape, Frequency: 520MHz, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 1A, Type of transistor: N-MOSFET, Open-loop gain: 14.9dB, Output power: 630mW, Power dissipation: 3W, Efficiency: 45%, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: SMT, Kind of transistor: RF, Kind of channel: depletion, Gate-source voltage: ±10V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SK3475(TE12L,F) 2SK3475(TE12L,F) Hersteller : TOSHIBA 2SK3475.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.9dB
Output power: 630mW
Power dissipation: 3W
Efficiency: 45%
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±10V
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2SK3475(TE12L.F) 2SK3475(TE12L.F) Hersteller : Toshiba 5269.pdf Trans RF MOSFET N-CH 20V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
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