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50A02CH-TL-E

50A02CH-TL-E onsemi

50a02ch-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.5A 3CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 690MHz
Supplier Device Package: 3-CPH
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Technische Details 50A02CH-TL-E onsemi

Description: ONSEMI - 50A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 700 mW, CPH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: CPH, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 690MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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50A02CH-TL-E 50A02CH-TL-E Hersteller : onsemi 50A02CH_D-2309536.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.5A 50V
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50A02CH-TL-E 50A02CH-TL-E Hersteller : onsemi 50a02ch-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.5A 3CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 690MHz
Supplier Device Package: 3-CPH
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 700 mW
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50A02CH-TL-E 50A02CH-TL-E Hersteller : ONSEMI 50A02CH-D.PDF Description: ONSEMI - 50A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 700 mW, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 690MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 150 Stücke:
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50A02CH-TL-E 50A02CH-TL-E Hersteller : ONSEMI 50A02CH-D.PDF Description: ONSEMI - 50A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 700 mW, CPH, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 690MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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50A02CH-TL-E Hersteller : ON Semiconductor 116880447302210550a02ch-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 700mW 3-Pin CPH T/R
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50A02CH-TL-E Hersteller : ON Semiconductor 116880447302210550a02ch-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 700mW 3-Pin CPH T/R
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Mindestbestellmenge: 3000
50A02CH-TL-E Hersteller : ON Semiconductor 116880447302210550a02ch-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 700mW 3-Pin CPH T/R
auf Bestellung 8500 Stücke:
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330+0.47 EUR
493+ 0.31 EUR
510+ 0.28 EUR
533+ 0.26 EUR
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3000+ 0.15 EUR
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50A02CH-TL-E Hersteller : ON Semiconductor 116880447302210550a02ch-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 700mW 3-Pin CPH T/R
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296+ 0.51 EUR
330+ 0.44 EUR
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