71016S12YG8 RENESAS
Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - 71016S12YG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, SOJ, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 64K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 12ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: RENESAS - 71016S12YG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, SOJ, 44 Pin(s), 4.5 V
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Bauform - Speicherbaustein: SOJ
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IC-Montage: Oberflächenmontage
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Speicherkonfiguration SRAM: 64K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
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Zugriffszeit: 12ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
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Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
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Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details 71016S12YG8 RENESAS
Description: RENESAS - 71016S12YG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, SOJ, 44 Pin(s), 4.5 V, tariffCode: 85423990, Bauform - Speicherbaustein: SOJ, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 64K x 16bit, IC-Gehäuse / Bauform: SOJ, Speicherdichte: 1Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 12ns, Versorgungsspannung, nom.: 5V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 1Mbit, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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71016S12YG8 | Hersteller : RENESAS |
Description: RENESAS - 71016S12YG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, SOJ, 44 Pin(s), 4.5 V tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 1Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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71016S12YG8 | Hersteller : Renesas / IDT | SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
auf Bestellung 634 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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71016S12YG8 | Hersteller : Renesas Electronics America Inc | Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |