APL602B2G MICROCHIP (MICROSEMI)


6535-apl602b2-apl602l-datasheet Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear™; unipolar; 600V; 49A; Idm: 196A; 730W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Linear™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 196A
Power dissipation: 730W
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details APL602B2G MICROCHIP (MICROSEMI)

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Linear™; unipolar; 600V; 49A; Idm: 196A; 730W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Linear™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 49A, Pulsed drain current: 196A, Power dissipation: 730W, Case: TO247MAX, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.125Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Preis ohne MwSt
APL602B2G APL602B2G Hersteller : Microchip Technology 6535-apl602b2-apl602l-datasheet Description: MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX
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Description: Transistor: N-MOSFET; Linear™; unipolar; 600V; 49A; Idm: 196A; 730W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Linear™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 196A
Power dissipation: 730W
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
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