APT10026L2FLLG Microchip Technology
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Technische Details APT10026L2FLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W; TO264MAX, Case: TO264MAX, Mounting: THT, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 152A, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 38A, On-state resistance: 0.26Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 893W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 267nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT10026L2FLLG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT10026L2FLLG | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 38A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube |
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APT10026L2FLLG | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 38A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube |
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| APT10026L2FLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W; TO264MAX Case: TO264MAX Mounting: THT Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 152A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 38A On-state resistance: 0.26Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 893W Polarisation: unipolar Gate charge: 267nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT10026L2FLLG | Hersteller : MICROSEMI | Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT10026L2FLLG | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET FREDFET MOS7 1000 V 26 Ohm TO-264 MAX |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT10026L2FLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W; TO264MAX Case: TO264MAX Mounting: THT Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 152A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 38A On-state resistance: 0.26Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 893W Polarisation: unipolar Gate charge: 267nC |
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