APT10045LFLLG Microchip Technology
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Technische Details APT10045LFLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 23A, Pulsed drain current: 92A, Power dissipation: 565W, Case: TO264, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.46Ω, Mounting: THT, Gate charge: 154nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| APT10045LFLLG | Hersteller : Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules FG, FREDFET,1000V, TO-264, RoHS |
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APT10045LFLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 23A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 565W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.46Ω Mounting: THT Gate charge: 154nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT10045LFLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 23A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 565W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.46Ω Mounting: THT Gate charge: 154nC Kind of channel: enhanced |
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