APT10086BVRG Microchip Technology
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Technische Details APT10086BVRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 13A; Idm: 52A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 13A, Pulsed drain current: 52A, Power dissipation: 370W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 860mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 275nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT10086BVRG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT10086BVRG | Hersteller : Microchip / Microsemi | MOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-247, RoHS |
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APT10086BVRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 13A; Idm: 52A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 13A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 370W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 860mΩ Mounting: THT Gate charge: 275nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT10086BVRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 13A; Idm: 52A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 13A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 370W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 860mΩ Mounting: THT Gate charge: 275nC Kind of channel: enhanced |
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