APT100GN60LDQ4G Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
IGBT Transistors IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-246
IGBT Transistors IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-246
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Technische Details APT100GN60LDQ4G Microchip Technology
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 135A; 625W; TO264, Mounting: THT, Collector-emitter voltage: 600V, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 135A, Pulsed collector current: 300A, Turn-on time: 96ns, Turn-off time: 435ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 625W, Kind of package: tube, Gate charge: 600nC, Case: TO264, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT100GN60LDQ4G | Hersteller : Microchip / Microsemi | IGBT Transistors FG, IGBT, 600V, TO-264, RoHS |
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APT100GN60LDQ4G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 229A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT100GN60LDQ4G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 135A; 625W; TO264 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 135A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 96ns Turn-off time: 435ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 625W Kind of package: tube Gate charge: 600nC Case: TO264 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT100GN60LDQ4G | Hersteller : MICROSEMI |
TO264/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI APT100GN60 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT100GN60LDQ4G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 135A; 625W; TO264 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 135A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 96ns Turn-off time: 435ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 625W Kind of package: tube Gate charge: 600nC Case: TO264 |
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