APT1201R6BVFRG Microchip / Microsemi
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Technische Details APT1201R6BVFRG Microchip / Microsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A, On-state resistance: 1.6Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 280W, Polarisation: unipolar, Mounting: THT, Gate charge: 230nC, Technology: POWER MOS 5®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Case: TO247-3, Pulsed drain current: 32A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 8A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT1201R6BVFRG
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT1201R6BVFRG Produktcode: 171513 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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APT1201R6BVFRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A On-state resistance: 1.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 280W Polarisation: unipolar Mounting: THT Gate charge: 230nC Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: TO247-3 Pulsed drain current: 32A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT1201R6BVFRG | Hersteller : Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 8A TO247 |
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APT1201R6BVFRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A On-state resistance: 1.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 280W Polarisation: unipolar Mounting: THT Gate charge: 230nC Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: TO247-3 Pulsed drain current: 32A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A |
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