APT1201R6SVFRG Microchip / Microsemi
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Technische Details APT1201R6SVFRG Microchip / Microsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A, On-state resistance: 1.6Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 280W, Polarisation: unipolar, Mounting: SMD, Gate charge: 230nC, Technology: POWER MOS 5®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Case: D3PAK, Pulsed drain current: 32A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 8A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT1201R6SVFRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A On-state resistance: 1.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 280W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Gate charge: 230nC Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: D3PAK Pulsed drain current: 32A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT1201R6SVFRG | Hersteller : MICROSEMI |
D3PAK/POWER FREDFET - MOS5 APT1201R6 Anzahl je Verpackung: 31 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT1201R6SVFRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A On-state resistance: 1.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 280W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Gate charge: 230nC Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: D3PAK Pulsed drain current: 32A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A |
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