APT12040L2FLLG Microchip Technology
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Technische Details APT12040L2FLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 120A; 893W, On-state resistance: 0.4Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 893W, Polarisation: unipolar, Mounting: THT, Gate charge: 275nC, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Case: TO264MAX, Pulsed drain current: 120A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 30A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT12040L2FLLG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| APT12040L2FLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 120A; 893W On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 893W Polarisation: unipolar Mounting: THT Gate charge: 275nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: TO264MAX Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT12040L2FLLG | Hersteller : Microchip / Microsemi | MOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-264 MAX, RoHS |
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| APT12040L2FLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 120A; 893W On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 893W Polarisation: unipolar Mounting: THT Gate charge: 275nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: TO264MAX Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A |
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