APT150GN120J Microchip Technology
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Technische Details APT150GN120J Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 215 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 625 W, Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.5 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote APT150GN120J nach Preis ab 62.44 EUR bis 112.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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APT150GN120J | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 215A 625W 4-Pin SOT-227 Tube |
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APT150GN120J | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 215A 625W 4-Pin SOT-227 Tube |
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APT150GN120J | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 215 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 625 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.5 nF @ 25 V |
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APT150GN120J | Hersteller : Microchip / Microsemi |
IGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 150A, SOT-227 |
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APT150GN120J | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 215A 625000mW 4-Pin SOT-227 Tube |
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APT150GN120J | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 215A 625W 4-Pin SOT-227 Tube |
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APT150GN120J | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 215A 625W 4-Pin SOT-227 Tube |
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| APT150GN120J | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 99A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 99A Case: SOT227B Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 450A Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT150GN120J | Hersteller : MICROSEMI |
ISOTOP 4/215 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT150GN120 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT150GN120J | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 99A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 99A Case: SOT227B Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 450A Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw |
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