APT150GN60B2G MICROCHIP (MICROSEMI)
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 123A; 536W; T-Max
Type of transistor: IGBT
Collector current: 123A
Case: T-Max
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 450A
Turn-on time: 154ns
Turn-off time: 575ns
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 536W
Technology: Field Stop
Kind of package: tube
Gate charge: 970nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details APT150GN60B2G MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 123A; 536W; T-Max, Type of transistor: IGBT, Collector current: 123A, Case: T-Max, Mounting: THT, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 450A, Turn-on time: 154ns, Turn-off time: 575ns, Collector-emitter voltage: 600V, Power dissipation: 536W, Technology: Field Stop, Kind of package: tube, Gate charge: 970nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT150GN60B2G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT150GN60B2G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT 600V 220A 536W SOT227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT150GN60B2G | Hersteller : Microchip Technology |
IGBT Modules FG, IGBT, 600V, TO-247 T-MAX, RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT150GN60B2G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 123A; 536W; T-Max Type of transistor: IGBT Collector current: 123A Case: T-Max Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 450A Turn-on time: 154ns Turn-off time: 575ns Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 536W Technology: Field Stop Kind of package: tube Gate charge: 970nC |
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