APT17F120J

APT17F120J

APT17F120J

Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 18A 4-Pin SOT-227 Tube
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Technische Details APT17F120J

Description: MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227, Packaging: Tube, Part Status: Active, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 14A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9670pF @ 25V, Power Dissipation (Max): 545W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Supplier Device Package: ISOTOP®, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC.

Preis APT17F120J ab 0 EUR bis 0 EUR

APT17F120J
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Material: APT17F120J Transistor modules MOSFET
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Material: APT17F120J Transistor modules MOSFET
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APT17F120J
Hersteller: Microsemi
Discrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS8
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APT17F120J
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227
Packaging: Tube
Part Status: Active
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs (Max): ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9670pF @ 25V
Power Dissipation (Max): 545W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Supplier Device Package: ISOTOP®
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
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