APT17F120J
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Technische Details APT17F120J
Description: MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227, Packaging: Tube, Part Status: Active, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 14A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9670pF @ 25V, Power Dissipation (Max): 545W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Supplier Device Package: ISOTOP®, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC.
Preis APT17F120J ab 0 EUR bis 0 EUR
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APT17F120J Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Material: APT17F120J Transistor modules MOSFET 
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APT17F120J Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Material: APT17F120J Transistor modules MOSFET
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APT17F120J Hersteller: Microsemi Discrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS8
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auf Bestellung 12 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227 Packaging: Tube Part Status: Active Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 14A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9670pF @ 25V Power Dissipation (Max): 545W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Supplier Device Package: ISOTOP® Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
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