APT200GN60J

APT200GN60J Microchip Technology


5922-apt200gn60j-datasheet Hersteller: Microchip Technology
Description: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 283 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 682 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.1 nF @ 25 V
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Technische Details APT200GN60J Microchip Technology

Description: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 283 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 682 W, Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.1 nF @ 25 V.

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APT200GN60J APT200GN60J Hersteller : Microchip Technology APT200GN60J_B-3078068.pdf IGBT Modules FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227
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APT200GN60J APT200GN60J Hersteller : Microchip Technology 10685922-apt200gn60j-b-pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 600V 283A 682000mW
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APT200GN60J Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 5922-apt200gn60j-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 158A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 158A
Case: SOT227B
Application: for inductive load; for UPS; motors
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT200GN60J Hersteller : MICROSEMI 5922-apt200gn60j-datasheet ISOTOP/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - SINGLE APT200
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT200GN60J Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 5922-apt200gn60j-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 158A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 158A
Case: SOT227B
Application: for inductive load; for UPS; motors
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
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