APT30M30JLL Microchip Technology
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Technische Details APT30M30JLL Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 300V; 88A; ISOTOP; screw; Idm: 352A; 520W, Mechanical mounting: screw, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 352A, Case: ISOTOP, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 300V, Drain current: 88A, On-state resistance: 30mΩ, Power dissipation: 520W, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT30M30JLL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT30M30JLL | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 300V 88A 4-Pin SOT-227 Tube |
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APT30M30JLL | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 300V 88A 4-Pin SOT-227 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT30M30JLL | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 300V; 88A; ISOTOP; screw; Idm: 352A; 520W Mechanical mounting: screw Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 352A Case: ISOTOP Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 300V Drain current: 88A On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT30M30JLL | Hersteller : MICROSEMI |
ISOTOP/POWER MOSFET - MOS7 APT30M30 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT30M30JLL | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 300V; 88A; ISOTOP; screw; Idm: 352A; 520W Mechanical mounting: screw Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 352A Case: ISOTOP Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 300V Drain current: 88A On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced |
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