APT34F100L Microchip Technology
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Technische Details APT34F100L Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 140A; 1135W; TO264, Mounting: THT, Case: TO264, On-state resistance: 0.38Ω, Pulsed drain current: 140A, Power dissipation: 1135W, Gate charge: 305nC, Polarisation: unipolar, Technology: POWER MOS 8®, Drain current: 21A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 1kV, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±30V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT34F100L
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT34F100L | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
 Description: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 |
auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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APT34F100L | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 140A; 1135W; TO264 Mounting: THT Case: TO264 On-state resistance: 0.38Ω Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 1135W Gate charge: 305nC Polarisation: unipolar Technology: POWER MOS 8® Drain current: 21A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT34F100L | Hersteller : MICROSEMI |
TO264-3/35 A, 1000 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT34F100 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT34F100L | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 140A; 1135W; TO264 Mounting: THT Case: TO264 On-state resistance: 0.38Ω Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 1135W Gate charge: 305nC Polarisation: unipolar Technology: POWER MOS 8® Drain current: 21A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V |
Produkt ist nicht verfügbar |