APT35GA90B Microchip Technology
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Technische Details APT35GA90B Microchip Technology
Description: IGBT 900V 63A 290W TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/104ns, Switching Energy: 642µJ (on), 382µJ (off), Test Condition: 600V, 18A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 84 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 63 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A, Power - Max: 290 W.
Weitere Produktangebote APT35GA90B
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| APT35GA90B | Hersteller : Microsemi |
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auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| APT35GA90B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
APT35GA90B THT IGBT transistors |
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APT35GA90B | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 900V 63A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT35GA90B | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT 900V 63A 290W TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 12ns/104ns Switching Energy: 642µJ (on), 382µJ (off) Test Condition: 600V, 18A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 84 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 63 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A Power - Max: 290 W |
Produkt ist nicht verfügbar |