APT35GN120L2DQ2G Microchip Technology
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Technische Details APT35GN120L2DQ2G Microchip Technology
Description: IGBT 1200V 94A 379W TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/300ns, Switching Energy: 2.315mJ (off), Test Condition: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V, Gate Charge: 220 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 94 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A, Power - Max: 379 W.
Weitere Produktangebote APT35GN120L2DQ2G nach Preis ab 25.61 EUR bis 27.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||
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APT35GN120L2DQ2G | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: IGBT 1200V 94A 379W TO264Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/300ns Switching Energy: 2.315mJ (off) Test Condition: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V Gate Charge: 220 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 94 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A Power - Max: 379 W |
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APT35GN120L2DQ2G | Hersteller : Microchip Technology / Atmel |
IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-264 MAX, RoHS |
auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 598-612 Tag (e) |
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| APT35GN120L2DQ2G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
APT35GN120L2DQ2G THT IGBT transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT35GN120L2DQ2G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 379mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT35GN120L2DQ2G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 379W 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube |
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