APT4014BVFRG Microchip Technology
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Technische Details APT4014BVFRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 28A; Idm: 112A, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 400V, Drain current: 28A, On-state resistance: 0.14Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 300W, Gate charge: 160nC, Technology: POWER MOS 5®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 112A, Mounting: THT, Case: TO247-3, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT4014BVFRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 28A; Idm: 112A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 28A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Gate charge: 160nC Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 112A Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT4014BVFRG | Hersteller : Microchip / Microsemi | MOSFET FG, FREDFET, 400V, TO-247, RoHS |
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APT4014BVFRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 28A; Idm: 112A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 28A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Gate charge: 160nC Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 112A Mounting: THT Case: TO247-3 |
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