APT4M120K Microchip Technology
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Technische Details APT4M120K Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3, Mounting: THT, Case: TO220-3, Gate charge: 43nC, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 15A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 3A, On-state resistance: 3.8Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 225W, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| APT4M120K |
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APT4M120K | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3 Mounting: THT Case: TO220-3 Gate charge: 43nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 15A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3A On-state resistance: 3.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 225W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT4M120K | Hersteller : MICROSEMI |
TO220/N-CHANNEL POWER MOSFET - MOS8 APT4M120 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT4M120K | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
Description: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 |
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APT4M120K | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3 Mounting: THT Case: TO220-3 Gate charge: 43nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 15A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3A On-state resistance: 3.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 225W Polarisation: unipolar |
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