APT5015BVRG Microchip Technology
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Technische Details APT5015BVRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 32A; Idm: 128A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 32A, Pulsed drain current: 128A, Power dissipation: 370W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.15Ω, Mounting: THT, Gate charge: 300nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT5015BVRG
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT5015BVRG | Hersteller : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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APT5015BVRG | Hersteller : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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APT5015BVRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 32A; Idm: 128A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 32A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 370W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT5015BVRG | Hersteller : MICROSEMI |
TO-247 [B]POWER MOSFET - MOS5 Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
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APT5015BVRG | Hersteller : Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 32A TO247 |
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APT5015BVRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 32A; Idm: 128A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 32A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 370W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of channel: enhanced |
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