APT5017SVRG Microchip Technology
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Technische Details APT5017SVRG Microchip Technology
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 30A; Idm: 120A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 30A, Pulsed drain current: 120A, Power dissipation: 370W, Case: D3PAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.17Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 300nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT5017SVRG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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APT5017SVRG | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube |
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APT5017SVRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 30A; Idm: 120A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 370W Case: D3PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 300nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT5017SVRG | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK |
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APT5017SVRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 30A; Idm: 120A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 370W Case: D3PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 300nC Kind of channel: enhanced |
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