APT5018BLLG Microchip Technology
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Technische Details APT5018BLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 27A; Idm: 108A; 300W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 27A, Pulsed drain current: 108A, Power dissipation: 300W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.18Ω, Mounting: THT, Gate charge: 58nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT5018BLLG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT5018BLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 27A; Idm: 108A; 300W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 27A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT5018BLLG | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 500V 27A TO247 |
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APT5018BLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 27A; Idm: 108A; 300W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 27A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of channel: enhanced |
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