APT50GP60B2DQ2G Microchip Technology
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Technische Details APT50GP60B2DQ2G Microchip Technology
Description: IGBT 600V 150A 625W TMAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/85ns, Switching Energy: 465µJ (on), 635µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 165 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 190 A, Power - Max: 625 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| APT50GP60B2DQ2G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 APT50GP60B2DQ2G THT IGBT transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT50GP60B2DQ2G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT 600V 150A 625W TMAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 19ns/85ns Switching Energy: 465µJ (on), 635µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 190 A Power - Max: 625 W |
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