APT56M60B2 Microchip / Microsemi
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Technische Details APT56M60B2 Microchip / Microsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 1040W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 8®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 60A, Power dissipation: 1.04kW, Case: TO247, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.11Ω, Mounting: THT, Gate charge: 280nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT56M60B2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT56M60B2 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 1040W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 280nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT56M60B2 | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
Description: MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT56M60B2 | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET FG, MOSFET, 600V, TO-247 T-MAX |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT56M60B2 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 1040W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 280nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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