APT6011B2VRG Microchip / Microsemi
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Technische Details APT6011B2VRG Microchip / Microsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 600V; 49A; Idm: 196A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 49A, Pulsed drain current: 196A, Power dissipation: 625W, Case: TO247MAX, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.11Ω, Mounting: THT, Gate charge: 450nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT6011B2VRG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| APT6011B2VRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 600V; 49A; Idm: 196A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 49A Pulsed drain current: 196A Power dissipation: 625W Case: TO247MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 450nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT6011B2VRG | Hersteller : MICROSEMI |
TMAX/ [B2]POWER MOSFET - MOS5 APT6011 Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT6011B2VRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 600V; 49A; Idm: 196A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 49A Pulsed drain current: 196A Power dissipation: 625W Case: TO247MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 450nC Kind of channel: enhanced |
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