APT6025BVRG Microchip Technology
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Technische Details APT6025BVRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 600V; 25A; Idm: 100A, Mounting: THT, Case: TO247-3, Technology: POWER MOS 5®, Gate charge: 275nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 100A, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 25A, On-state resistance: 0.25Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 370W, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT6025BVRG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT6025BVRG | Hersteller : Microchip / Microsemi |
 MOSFET FG, MOSFET, 600V, TO-247, RoHS |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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APT6025BVRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 600V; 25A; Idm: 100A Mounting: THT Case: TO247-3 Technology: POWER MOS 5® Gate charge: 275nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 100A Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 370W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT6025BVRG | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT6025BVRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 600V; 25A; Idm: 100A Mounting: THT Case: TO247-3 Technology: POWER MOS 5® Gate charge: 275nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 100A Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 370W Polarisation: unipolar |
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